我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术:历时 4 年自主研发,打破平面型芯片性能“天花板” 9 月 3 日消息,“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文,报道称国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时 4 年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅 MO...
4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破:一年内投入应用 9月3日消息,据南京发布公告,经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心(南京),成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。这也是我国在这一领...