三星电子介绍 BSPDN 背面供电技术收益：可减少 17% 尺寸，提升 15% 能效

8 月 23 日消息，综合韩媒 The Elec 与 Hankyung 报道，三星电子负责晶圆代工 PDK 开发团队的高级副总裁 Lee Sun-Jae 昨日在西门子 EDA 论坛 2024 首尔场上介绍了 BSPDN 背面供电网络技术的收益情况。

Lee Sun-Jae 表示，相较于采用传统 FSPDN 供电方式的 2nm 工艺，采用 BSPDN 的 SF2Z 节点可明显改善电路压降问题。具体到数据上，其可减少约 17% 芯片面积、提升约 15% 能效、增强约 8% 性能。

参考此前报道，三星电子在三星代工论坛 2024 北美场上公布了最新先进制程路线图：初版 2nm 制程 SF2 定于 2025 年量产，改进版 SF2P 落在 2026 年，而 SF2Z 则将于 2027 年量产。

对于 SF2P，Lee Sun-Jae 则称三星电子计划在该节点上实现较 SF2 工艺 12% 的性能提升、25% 的功耗降低、8% 的面积减少。