华邦电子：4Gb DDR4 / LPDDR4 已放量出货，内存工艺明年升级至 16nm

8 月 6 日消息，综合台媒 MoneyDJ 理财网、钜亨网报道，利基型存储企业华邦电子总经理陈沛铭在 8 月 2 日的法人说明会上表示，其 4Gb 容量 DDR4 / LPDDR4 内存产品已放量出货。

陈沛铭表示，受单价走高等影响，华邦电子二季度收获 DRAM 业绩成长；而内存位元出货量的减少是因为 Wi-Fi 领域客户从 DDR3 转移至 DDR4，影响了华邦 DDR3 销售，不过这一趋势也意味着华邦的 DDR4 需求充足。

在 DRAM 制程部分，华邦目前最先进的工艺是 20nm 级的 D20，该工艺良率现已达到 90% 以上，高雄工厂相关产能已达每月 15000 片晶圆。

华邦电子计划在明年推出更为先进的 16nm DRAM 工艺，力争成为三星电子、SK 海力士、美光三大巨头后第二梯队的头名。

而在存储业务部分，华邦电子已连续三年蝉联 NOR 闪存全球第一，新一代 45nm NOR 闪存也已于 7 月开始出货。考虑到 AI 服务器的;NOR 用量较传统服务器大幅提升、TWS 耳机与智能手机 NOR 需求旺盛，相关业务基本面向好。

另据华邦电子官网，该企业 2024 年上半年合计营收为 416.05 亿新台币（备注：当前约 90.99 亿元人民币），同比提升 14.5%，归属母公司净利为 12.59 亿新台币，每股净利为 0.3 元新台币。