为 1000 层 NAND 闪存制造铺平道路，泛林推出新一代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0

8 月 1 日消息，泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。

泛林集团全球产品部高级副总裁 Sesha Varadarajan 表示：

Lam Cryo 3.0 为（我们的）客户实现 1000 层 3D NAND 铺平了道路。

泛林低温蚀刻已被用于 500 万片晶圆的生产，而我们的最新技术是 3D NAND 生产领域的一项突破。

它能以埃米级精度创建高深宽比（注：High Aspect Ratio）图形特征，同时降低对环境的影响，蚀刻速度是传统介电工艺的两倍多。

Lam Cryo 3.0 是我们的客户克服人工智能时代关键 NAND 制造障碍所需的蚀刻技术。

在现有 3D NAND 的生产中，需要用从器件顶部至底部的细长垂直孔道将各层存储单元连接起来。

而在孔道构建过程中，即使图形特征与目标轮廓出现原子级的轻微误差，也可能对存储新品的电气性能产生负面影响，并可能影响良率。

而 Lam Cryo 3.0 结合了高能密闭式等离子反应器、远低于 0℃工作温度以及新的化学蚀刻物质，可蚀刻出深宽比达 50:1、深度达 10μm 的通道，同时从顶部到底部的特征关键尺寸偏差不到 0.1%。

此外相较传统介电工艺，Lam Cryo 3.0 技术的蚀刻速度是前者的 2.5 倍，能耗降低了 40%，排放量更减少了 90%。

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