消息指台积电最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技术

台积电目前正式公布的最先进制程为 A16，该工艺将支持背面供电网络（BSPDN），定于 2026 下半年量产。从目前消息来看，在 A16 上台积电仍将采用传统的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻机。

台媒在报道中表示，台积电在 A16 后的下一代工艺 A14 预计于 2026 上半年进入风险试产阶段，最快 2027 年三季度量产，该节点的主力光刻设备仍将是 ASML 的 NXE:3800E Low NA EUV 机台。

而在 A14 改进版 A14P 中，台积电有望正式启用;High NA EUV 光刻技术，该节点在时间上大致落在 2028 年。

台积电将在 2030 年后进入 A10 等更先进世代，届时会全面导入 High NA EUV 技术，进一步改进制程技术的成本与效能。

报道还提到，台积电已完成量产用 ASML High NA EUV 光刻机的首阶段采购。

而在研发用机台方面，ASML 此前已经披露，将在 2024 年内交付台积电的首台;High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元（备注：当前约 27.62 亿元人民币）。

台积电的先进代工竞争对手中，英特尔明确将在 Intel A14 节点使用 High NA 光刻；三星电子虽早已向 ASML 下单 High NA EUV 光刻机但未明确何时启用；Rapidus 的 High NA 节点至少也要等到 2nm 后。